CMP(ケミカル・メカニカル・ポリッシング:化学的機械研磨)スラリーは、半導体の製造工程で、基板表面を研磨するために用いるスラリーです。化学的エッチングが、材料を柔らかくし、機械的摩耗によりマテリアルが除去されるため、元々の立体的形状が平坦化されます。これがCMPのメカニズムです。
当社のスラリーは半導体回路微細化と高速化を実現するための銅配線用、低温でスパッタリングでき、ローコストなアルミ配線用、高速信号処理に優れた化合物用、様々な用途で実績があります。化学反応溶液とナノサイズの研磨粒子で構成されており、粗大粒子の発生や粒子の沈殿が少なく、安定した品質が特徴です。
- ・Al配線膜用CMPスラリー
- ・化合物用CMPスラリー
- ・貴金属用CMPスラリー
- ・樹脂用CMPスラリー
- その他カスタマイズにも対応しています。